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家田 淳一; 山本 慧
no journal, ,
磁性体/非磁性体界面に生じる界面スピン軌道相互作用は、磁性体層に新たな磁気異方性をもたらし、非磁性体層の選択や外部電界の印加による磁気特性の制御を可能とする。近年、原子層制御が可能なファンデアワールス(vdW)物質を異種物質に貼り合わせることで、新たな物性や機能を発現する研究が注目を集めている。これまで、光学特性や伝導特性の変調、非従来型超伝導の発現などの報告がなされているが、wdW物質との異種接合による磁性体の制御に関する研究はまだほとんど開拓されていない。そこで本研究では、ゼーマン型と呼ばれるvdW物質特有のスピン軌道相互作用が、隣接する強磁性体に導く磁気異方性を、有効模型に基づく解析により理論的に検討する。具体的な系として、2H結晶多型の遷移金属ダイカルコゲナイドと単純な一様強磁性体の接合系を想定し、そのバンド構造を再現する強束縛模型を用いて磁気異方性エネルギーの計算を行った。本講演では、磁気異方性タイプ(面直・面内)のフェルミ準位依存性、強磁性体層との交換結合定数への依存性の計算例を紹介し、vdW物質による微小磁性体制御の可能性について検討する。
鈴木 誠也
no journal, ,
ゲルマネンはゲルマニウム(Ge)の単原子ハニカムシートで、トポロジカルな性質を利用した電子デバイス応用が期待されている。ゲルマネンは超高真空下でAu、Al、Agなどの単結晶表面に合成できるが、大気中で酸化してしまうことや、デバイス化に適した絶縁体基板上への直接合成が実現していないことから、集積デバイスはおろか、単一素子作製も実現していない。このような現状から、我々はゲルマネンをいかにしてデバイス化に繋げるかを念頭に置き、新たな合成手法の開発やプロセス改良を行っている。本講演では、ゲルマネンに関する研究動向を紹介したのち、ゲルマネンを大気中に取り出すことを可能にしたファンデルワールス/金属界面へのゲルマネンの直接合成法、ゲルマネンの劣化要因となる酸化に関する研究、偏析ゲルマネンへのGe追加蒸着による多層化の研究など、近年の我々の研究成果を報告する。